大功率LED要害资料GaN开端侵食硅功率MOSFET商场

2018-09-22 10:35 作者:产品案例 来源:环亚ag88手机版

  大功率LED要害资料GaN开端侵食硅功率MOSFET商场

   超级半导体资料GaN(氮化镓)的年代正敞开。它比传统的硅和GaAs(砷化镓)愈加耐压,已成为大功率LED的要害资料之一,并在射频领域中得宠,其间包含Cree、RFMD以及Eudyna和Nitronex推出针对这些商场的GaN产品。别的包含IR、ST、富士通、松下,以及新晋的EPC(宜普)公司等都介入到GaN器材商场。iSuppli数据猜测GaN器材的TAM到2013年到达109亿美元,而EPC产品的潜在商场价值70亿美元并将以11.1%的年增加率增加,该公司的一起开创人和CEO Alex Lidow如是表明。

   2004年,Eudyna推出根据SiC基板的耗尽型GaN射频晶体管;随后Nitronex推出硅基耗尽型GaN射频晶体管。而IR年头也推出的其首款硅基GaN功率器材――耗尽型的iP2010和iP2011。而与竞赛产品不同,EPC推出了增强型GaN功率晶体管,其硅基GaN技能建立于150mm晶圆的规范硅CMOS工艺。在GaN和硅基底中心,有一个氮化铝隔离层(见图1)。

   据Alex介绍,其产品最潜在的商场机会是替换功率MOSFET。

  

EPC的增强型GaN器材结构

  

图1:EPC的增强型GaN器材结构,其可以用规范CMOS工艺制作

   有意思的是,EPC与Alex的前店主IR(世界整流器)将在GaN功率商场上共舞,并都断语传统的硅功率MOSFET功能的开掘已到极限。虽然GaN开端侵食功率MOSFET商场,但其供货商决不会容易将30年来创立的商场拱手相让。Alex以为,5年之内,硅MOSFET仍将活泼在功率商场。福建省光电行业协会和台湾LED路