给力LED-降服LED之不得不看的重要概念(二)

2018-10-11 18:40 作者:产品案例 来源:环亚ag88手机版

  给力LED:降服LED之不得不看的重要概念(二)

  GaN(gallium nitride)

  由镓(Ga)和氮(N)构成的化合物半导体。带隙为3.45eV(用光的波长表明相当于约365nm),比硅(Si)要宽3倍。运用该特性,GaN首要应用于光元件。经过混合铟(In)和铝(Al)调整带隙,所取得的LED和蓝紫色半导体激光器等发光元件现已实用化。

  GaN因为带隙较宽,可发生蓝色和绿色等波长较短的光。蓝色LED和蓝紫色半导体激光器,选用了在GaN中增加In构成的InGaN。除了带隙较宽以外,GaN还具有绝缘损坏电场高、电场饱满速度快、导热率高级半导体资料的优异特性。别的,选用HEMT(High Electron Mobility Transistor)结构的GaN类半导体元件,其载流子迁移率较高,合适用作高频元件。原因是会发生名为二维电子气体层的电子高速活动范畴。并且,因为绝缘损坏电场要比Si和GaAs大,耐压较高,可施加更高的电压。因而,在手机基站等高频功率放大器电路中选用GaN类HEMT的话,可以进步电力附加功率,下降耗电。

  最近,GaN作为逆变器及变压器等电力转换器运用的功率元件也极受等待。原因是与Si功率元件比较,GaN类功率元件可大幅下降电力丢失。因为绝缘损坏电场较高,可以经过减薄元件下降导通电阻,然后下降导通丢失。

  

GaN

  GaN类功率元件还有助于完成电力转换器的小型化。原因是与Si功率元件比较,GaN类功率元件可以以高开关频率作业,可缩小周边部件的尺度。别的,因为导热率高,还可缩小冷却组织。鉴于上述长处,从事服务器、混合动力车和电动汽车以及白色家电事务的厂商等十分重视GaN类功率元件。据悉,2011年GaN类功率元件将有望装备于服务器电源。