技能荟-增强UV LED的通明导电性新方法

2018-09-26 13:31 作者:产业新闻 来源:环亚ag88手机版

  技能荟增强UV LED的通明导电性新方法

  

ITO跟LED有什么关系?

  

ITO是一种通明的电极资料,具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和杰出的化学稳定性。现在ITO膜首要是为了进步LED的出光功率。

  

Burstein-Moss效应是什么?

  

  

Burstein-Moss效应:当半导体重掺杂时,费米能级进入导带,本征光吸收边向高能方向移动的现象。

  

在一般掺杂的半导体中,费米能级坐落导带与价带之间。当n型掺杂浓度上升时,因为电子在导带中集聚,费米能级会渐渐被推到导带之中(能够简略的了解成冰块(费米能级)被添加的水(电子)推到高位)。

  

什么是前躯体(precursor)?

  

前躯体指的是用来组成、制备其他物质的通过特别处理的合作资料。

  

日前中山大学的研讨人员发明晰一种选用金属有机气相堆积(MOCVD)制备LED结构中氧化铟锡膜(ITO)的工艺,这种办法能够有用的增强UV LED的通明导电特性。

  

一般UV LED依照波长分为UVA UVB UVC三种类型。现在首要用于水纯净化、生物灭菌消毒、医用医治、紫外医治等范畴。

  

研讨进程

  

虽然ITO 在可视光谱区域里是一种通明导电层资料,可是关于紫外区域,ITO的通明特性就会逐步下降。

  

因而,中山大学团队设法运用MOCVD技能将光学禁带的宽度拓展到4.7eV。该禁带所激宣布的光子波长正好在紫外区域内(364nm)。

  

一般UV LED依照波长分为UVA UVB UVC三种类型。凯时国际Marvell推出业界首款单芯。现在首要用于水纯净化、生物灭菌消毒、医用医治、紫外医治等范畴。

  

图1 90nm MOCVD工艺ITO膜的光电特性

  

  

(a)锡流速(Sn flow rate)关于电子密度和迁移率的影响

  

  

(b)MOCVD工艺ITO膜中的UV可见光透过率与不同的锡流速。

  

  

(c)不同工艺下的ITO光学禁带比照

  

中山大学团队首先在蓝宝石外表运用MOCVD技能(成长环境温度为500°C左右)成长90nm ITO膜,前躯体为三甲基铟(trimethyl indium)、四甲基锡(tetrakis-dimethylamino tin)、以及氧氩混合气体。终究所得的资料外表附有类金字塔形状(100)和三角形形状(111)的颗粒。