技能打破:LED芯片抗反向静电才能到达3 kV

2018-09-26 20:54 作者:公司公告 来源:环亚ag88手机版

  技能打破:LED芯片抗反向静电才能到达3 kV

  

【OFweek半导体照明网 修改/mike 翻译/oscar】韩国研究人员经过在LED芯片中集成旁路二极管的办法将氮化铟镓LED的抗反向静电才能进步到了3 kV。来自韩国光技能院(KOPTI) 和光州科学技能院的研究人员宣称:这种LED芯片加工简洁,可靠性高。

 

  

研究人员一向企图进步现在100V-1kV的抗反向静电才能。而正向静电的恢复性在1kV3kV的规模有所下降。这种器材往往应用于交通信号灯、大规模显现以及液晶显现器背光。

 

  

正向偏压和反偏压的特性差异在于外延资料以及旁边面器材结构存在的高位错密度差。其间旁边面器材是成长在绝缘蓝宝石衬底中的规范氮化LEDs所必需的。这两种相反的特性简单引起很多反向ESD电压脉冲进而损坏LED

 

  

研究人员现已采用了一些办法来防止器材遭到这样的危害---包含下降密度缺点、外部二极管等。解码2011年LED照明商场,可是,很难以低成本将这些技能应用于真实的出产过程中。

 

  

研究人员采用了传统的In0.15Ga0.85N/GaN MQW 450nm(蓝色)LED架构,使其在MOCVD设备的c-plane 蓝宝石中成长。这种LED经过光刻法和ICP蚀刻到n型外延成长层。铟锡氧化物(ITOLED芯片中相当于通明欧姆电极,而接合焊盘由金镍铬锡合金组成。

 

  

研究人员经过将n极的触点延伸至p区域(见图1),使旁路二极管集成到LED,以完成LED芯片的ESD维护。n极与p-GaN之间用氧等离子处理会使得肖特基势垒升高;这样做的意图在于削减反向ESD发生的反向漏电流。由于大走漏电流简单危害n极然后下降器材的功能。
 

  

  

1:(a)扩大nLED的剖视图和电路原理图;俯视图(b)传统的(LED-C),没有n极的梳状LED-F3以及LED-F5,(c)等离子处理得到的梳状(LED-F3-P LED-F5-P)。(c)中的暗影区域即等离子处理区域。